FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

Σύντομη περιγραφή:

Κατασκευαστές: ON Semiconductor

Κατηγορία προϊόντος: Τρανζίστορ – FET, MOSFET – Μονά

Φύλλο δεδομένων:FDN335N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Κατάσταση RoHS: Συμβατό με RoHS


Λεπτομέρεια προϊόντος

Χαρακτηριστικά

Εφαρμογές

Ετικέτες προϊόντων

♠ Περιγραφή προϊόντος

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Κατηγορία προϊόντων: MOSFET
RoHS: Λεπτομέρειες
Τεχνολογία: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: ΣΟΤ-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Κανάλι
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 20 V
Id - Corriente de drenaje continua: 1,7 Α
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 400 mV
Qg - Carga de Puerta: 5 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία: - 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία: + 150 C
Dp - Disipación de Potencia : 500 mW
Κανάλι Modo: Βελτιστοποίηση
Nombre διαφημιστικό: PowerTrench
Empaquetado: Καρούλι
Empaquetado: Κοπή ταινίας
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Διαμόρφωση: Μονόκλινο
Tiempo de caída: 8,5 ns
Transconductancia hacia delante - Min.: 7 Σ
Altura: 1,12 χλστ
Γεωγραφικό μήκος: 2,9 χλστ
Προϊόν: Μικρό σήμα MOSFET
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 8,5 ns
Σειρά: FDN335N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Υποκατηγορία: MOSFET
Τύπος τρανζίστορ: 1 Ν-Κανάλι
Συμβουλή: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Ancho: 1,4 χλστ
Alias ​​de las piezas n.º: FDN335N_NL
Peso de la unidad: 0,001058 ουγκιές

♠ N-Channel 2,5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

Αυτό το MOSFET N-Channel 2,5V παράγεται με τη χρήση της προηγμένης διαδικασίας PowerTrench της ON Semiconductor που έχει σχεδιαστεί ειδικά για να ελαχιστοποιεί την αντίσταση on-state και ωστόσο να διατηρεί χαμηλό φορτίο πύλης για ανώτερη απόδοση μεταγωγής.


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • • 1,7 A, 20 V. RDS(ON) = 0,07 Ω @ VGS = 4,5 V RDS(ON) = 0,100 Ω @ VGS = 2,5 V.

    • Χαμηλή φόρτιση πύλης (3,5nC τυπική).

    • Τεχνολογία τάφρων υψηλής απόδοσης για εξαιρετικά χαμηλό RDS(ON).

    • Ικανότητα χειρισμού υψηλής ισχύος και ρεύματος.

    • Μετατροπέας DC/DC

    • Διακόπτης φόρτωσης

    Σχετικά προϊόντα