IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Σύντομη περιγραφή:

Κατασκευαστής: IXYS
Κατηγορία προϊόντος: Τρανζίστορ – FET, MOSFET – Μονά
Φύλλο δεδομένων:IXFA22N65X2
Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Κατάσταση RoHS: Συμβατό με RoHS

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

♠ Περιγραφή προϊόντος

Ιδιότητα προϊόντος	Τιμή Χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής:	IXYS
Κατηγορία προιόντος:	MOSFET
Τεχνολογία:	Si
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Πακέτο / Θήκη:	TO-263-3
Πολικότητα τρανζίστορ:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 Κανάλι
Vds - Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης:	650 V
Αναγνωριστικό - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης:	22 Α
Rds On - Αντίσταση πηγής αποστράγγισης:	160 mOhms
Vgs - Τάση πύλης-πηγής:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Κατώφλι τάσης πύλης-πηγής:	2,7 V
Qg - Χρέωση πύλης:	38 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	- 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 150 C
Pd - Διαρροή ισχύος:	360 W
Λειτουργία καναλιού:	Βελτιστοποίηση
Εμπορική ονομασία:	HiPerFET
Συσκευασία:	Σωλήνας
Μάρκα:	IXYS
Διαμόρφωση:	Μονόκλινο
Φθινοπωρινή ώρα:	10 ns
Εμπρόσθια διαγωγιμότητα - Ελάχ.	8 Σ
Τύπος Προϊόντος:	MOSFET
Ώρα ανόδου:	35 ns
Σειρά:	650V Ultra Junction X2
Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας:	50
Υποκατηγορία:	MOSFET
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης:	33 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης:	38 ns
Βάρος μονάδας:	0,139332 ουγκιές