LCMXO2280C-3TN144I FPGA – Προγραμματιζόμενη συστοιχία πύλης πεδίου 2280 LUTs 113 IO 1,8 /2,5/3,3V -3 Spd I

Σύντομη περιγραφή:

Κατασκευαστές: Lattice
Κατηγορία προϊόντος:FPGA – Συστοιχία προγραμματιζόμενης πύλης πεδίου
Φύλλο δεδομένων:LCMXO2280C-3TN144I
Περιγραφή:IC FPGA 113 I/O 144TQFP
Κατάσταση RoHS: Συμβατό με RoHS


Λεπτομέρεια προϊόντος

Χαρακτηριστικά

Ετικέτες προϊόντων

♠ Περιγραφή προϊόντος

Ιδιότητα προϊόντος Τιμή Χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής: Πλέγμα
Κατηγορία προιόντος: FPGA - Συστοιχία προγραμματιζόμενης πύλης πεδίου
RoHS: Λεπτομέριες
Σειρά: LCMXO2280C
Αριθμός Λογικών Στοιχείων: 2280 LE
Αριθμός I/O: 113 I/O
Τάση τροφοδοσίας - Ελάχ. 1,71 V
Τάση τροφοδοσίας - Μέγ. 3.465 V
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 40 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 100 C
Ρυθμός δεδομένων: -
Αριθμός πομποδέκτη: -
Στυλ τοποθέτησης: SMD/SMT
Πακέτο/Θήκη: TQFP-144
Συσκευασία: Δίσκος - σχάρα
Μάρκα: Πλέγμα
Κατανεμημένη μνήμη RAM: 7,7 kbit
Ενσωματωμένο μπλοκ RAM - EBR: 27,6 kbit
Υψος: 1,4 χλστ
Μήκος: 20 χλστ
Μέγιστη συχνότητα λειτουργίας: 550 MHz
Ευαίσθητο στην υγρασία: Ναί
Αριθμός μπλοκ λογικού πίνακα - LAB: 285 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ
Λειτουργικό ρεύμα ανεφοδιασμού: 23 mA
Τάση τροφοδοσίας λειτουργίας: 1,8 V/2,5 V/3,3 V
Τύπος Προϊόντος: FPGA - Συστοιχία προγραμματιζόμενης πύλης πεδίου
Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: 60
Υποκατηγορία: Προγραμματιζόμενα λογικά IC
Συνολική μνήμη: 35,3 kbit
Πλάτος: 20 χλστ
Βάρος μονάδας: 1,319 γρ

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • Μη πτητικό, απεριόριστα αναδιαμορφώσιμο

    • Instant-on – ενεργοποιείται σε μικροδευτερόλεπτα

    • Ένα τσιπ, δεν απαιτείται εξωτερική μνήμη διαμόρφωσης

    • Εξαιρετική ασφάλεια σχεδιασμού, χωρίς ροή bit για παρεμπόδιση

    • Επαναδιαμορφώστε τη λογική που βασίζεται σε SRAM σε χιλιοστά του δευτερολέπτου

    • SRAM και μη πτητική μνήμη προγραμματιζόμενη μέσω θύρας JTAG

    • Υποστηρίζει προγραμματισμό μη ασταθούς μνήμης στο παρασκήνιο

    Κατάσταση ύπνου

    • Επιτρέπει έως και 100x μείωση στατικού ρεύματος

    Αναδιαμόρφωση TransFR™ (TFR)

    • Ενημέρωση λογικής εντός πεδίου κατά τη λειτουργία του συστήματος

    Υψηλή I/O σε Λογική Πυκνότητα

    • 256 έως 2280 LUT4

    • 73 έως 271 I/Os με εκτεταμένες επιλογές πακέτων

    • Υποστηρίζεται η μετεγκατάσταση πυκνότητας

    • Συσκευασία χωρίς μόλυβδο/συμβατή με RoHS

    Ενσωματωμένη και κατανεμημένη μνήμη

    • Έως 27,6 Kbits sysMEM™ Embedded Block RAM

    • Έως 7,7 Kbits κατανεμημένη RAM

    • Αποκλειστική λογική ελέγχου FIFO

    Ευέλικτο buffer I/O

    • Η προγραμματιζόμενη προσωρινή μνήμη sysIO™ υποστηρίζει ευρύ φάσμα διεπαφών:

    – LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2

    – LVTTL

    – PCI

    – LVDS, Bus-LVDS, LVPECL, RSDS

    sysCLOCK™ PLL

    • Έως δύο αναλογικά PLL ανά συσκευή

    • Πολλαπλασιασμός ρολογιού, διαίρεση και εναλλαγή φάσης

    Υποστήριξη σε επίπεδο συστήματος

    • Σάρωση ορίων IEEE Standard 1149.1

    • Ενσωματωμένος ταλαντωτής

    • Οι συσκευές λειτουργούν με τροφοδοτικό 3,3V, 2,5V, 1,8V ή 1,2V

    • Προγραμματισμός εντός συστήματος σύμφωνα με το πρότυπο IEEE 1532

    Σχετικά προϊόντα