SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | Vishay |
| Κατηγορία προιόντος: | MOSFET |
| RoHS: | Λεπτομέριες |
| Τεχνολογία: | Si |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο/Θήκη: | PowerPAK-1212-8 |
| Πολικότητα τρανζίστορ: | P-Channel |
| Αριθμός καναλιών: | 1 Κανάλι |
| Vds - Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης: | 200 V |
| Αναγνωριστικό - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: | 3,8 Α |
| Rds On - Αντίσταση πηγής αποστράγγισης: | 1,05 Ωμ |
| Vgs - Τάση πύλης-πηγής: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Κατώφλι τάσης πύλης-πηγής: | 2 V |
| Qg - Χρέωση πύλης: | 25 nC |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 50 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150 C |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 52 W |
| Λειτουργία καναλιού: | Βελτιστοποίηση |
| Εμπορική ονομασία: | TrenchFET |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | Vishay Semiconductors |
| Διαμόρφωση: | Μονόκλινο |
| Φθινοπωρινή ώρα: | 12 ns |
| Εμπρόσθια διαγωγιμότητα - Ελάχ. | 4 Σ |
| Υψος: | 1,04 χλστ |
| Μήκος: | 3,3 χλστ |
| Τύπος Προϊόντος: | MOSFET |
| Ώρα ανόδου: | 11 ns |
| Σειρά: | SI7 |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 3000 |
| Υποκατηγορία: | MOSFET |
| Τύπος τρανζίστορ: | 1 P-Channel |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης: | 27 ns |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: | 9 ns |
| Πλάτος: | 3,3 χλστ |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | SI7119DN-GE3 |
| Βάρος μονάδας: | 1 γρ |
• Χωρίς αλογόνο Σύμφωνα με το IEC 61249-2-21 Διατίθεται
• TrenchFET® Power MOSFET
• Πακέτο PowerPAK® χαμηλής θερμικής αντίστασης με μικρό μέγεθος και χαμηλό προφίλ 1,07 mm
• 100 % Δοκιμασμένο UIS και Rg
• Ενεργός σφιγκτήρας σε ενδιάμεσα τροφοδοτικά DC/DC
