NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | onsemi |
| Κατηγορία προιόντος: | MOSFET |
| RoHS: | Λεπτομέριες |
| Τεχνολογία: | Si |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο / Θήκη: | SO-8FL-4 |
| Πολικότητα τρανζίστορ: | N-Channel |
| Αριθμός καναλιών: | 1 Κανάλι |
| Vds - Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης: | 30 V |
| Αναγνωριστικό - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: | 52 Α |
| Rds On - Αντίσταση πηγής αποστράγγισης: | 4,73 mOhms |
| Vgs - Τάση πύλης-πηγής: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Κατώφλι τάσης πύλης-πηγής: | 2,2 V |
| Qg - Χρέωση πύλης: | 22,2 nC |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 55 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150 C |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 6 W |
| Λειτουργία καναλιού: | Βελτιστοποίηση |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | onsemi |
| Διαμόρφωση: | Μονόκλινο |
| Τύπος Προϊόντος: | MOSFET |
| Σειρά: | NTMFS4C028N |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 1500 |
| Υποκατηγορία: | MOSFET |
| Βάρος μονάδας: | 0,026455 ουγκιές |
• Χαμηλό RDS(on) για ελαχιστοποίηση των απωλειών αγωγιμότητας
• Χαμηλή χωρητικότητα για ελαχιστοποίηση των απωλειών του οδηγού
• Βελτιστοποιημένη φόρτιση πύλης για ελαχιστοποίηση των απωλειών μεταγωγής
• Αυτές οι συσκευές είναι χωρίς Pb−Free, Χωρίς αλογόνο/BFR και είναι συμβατές με RoHS
• Παράδοση ισχύος CPU
• Μετατροπείς DC−DC
