IDW30G120C5BFKSA1 Δίοδοι & ανορθωτές Schottky SIC CHIP/DISCRETE
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | Infineon |
| Κατηγορία προιόντος: | Διόδους & Ανορθωτές Schottky |
| RoHS: | Λεπτομέριες |
| Προϊόν: | Δίοδοι καρβιδίου πυριτίου Schottky |
| Στυλ τοποθέτησης: | Μέσα από την τρύπα |
| Πακέτο / Θήκη: | ΤΟ-247-3 |
| Διαμόρφωση: | Κοινή Κάθοδος Διπλής Ανόδου |
| Τεχνολογία: | Ούτω |
| Εάν - Προώθηση ρεύματος: | 30 Α |
| Vrrm - Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση: | 1,2 kV |
| Vf - Μπροστινή τάση: | 1,4 V |
| Ifsm - Μπροστινό ρεύμα υπέρτασης: | 240 Α |
| Ir - Αντίστροφο ρεύμα: | 17 uA |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 55 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 175 C |
| Σειρά: | IDW30G120C5 |
| Συσκευασία: | Σωλήνας |
| Μάρκα: | Infineon Technologies |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 332 W |
| Τύπος Προϊόντος: | Διόδους & Ανορθωτές Schottky |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 240 |
| Υποκατηγορία: | Διόδους & Ανορθωτές |
| Εμπορική ονομασία: | CoolSiC |
| Vr - Αντίστροφη τάση: | 1,2 kV |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Βάρος μονάδας: | 1,340411 ουγκιές |
·Επαναστατικό υλικό ημιαγωγών – Καρβίδιο του πυριτίου
·Χωρίς αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης / Χωρίς ανάκτηση προς τα εμπρός
·Συμπεριφορά μεταγωγής ανεξάρτητη από τη θερμοκρασία
·Χαμηλή τάση προς τα εμπρός ακόμη και σε υψηλή θερμοκρασία λειτουργίας
·Στερεά προς τα εμπρός κατανομή τάσης
·Εξαιρετική θερμική απόδοση
·Εκτεταμένη δυνατότητα υπέρτασης ρεύματος
·Καθορισμένη στιβαρότητα dv/dt
·Πιστοποιημένο σύμφωνα με το JEDEC1) για εφαρμογές-στόχους
·Επιμετάλλωση χωρίς μόλυβδο.Συμβατό με RoHS
·Ηλιακός μετατροπέας
·Αδιάλειπτα τροφοδοτικά
·Κινητήρες κίνησης
·Διόρθωση συντελεστή ισχύος
