SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | Vishay |
| Κατηγορία προιόντος: | MOSFET |
| Τεχνολογία: | Si |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο / Θήκη: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Πολικότητα τρανζίστορ: | P-Channel |
| Αριθμός καναλιών: | 2 Κανάλι |
| Vds - Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης: | 30 V |
| Αναγνωριστικό - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: | 30 Α |
| Rds On - Αντίσταση πηγής αποστράγγισης: | 14 mOhms |
| Vgs - Τάση πύλης-πηγής: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Κατώφλι τάσης πύλης-πηγής: | 2,5 V |
| Qg - Χρέωση πύλης: | 50 nC |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 55 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 175 C |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 56 W |
| Λειτουργία καναλιού: | Βελτιστοποίηση |
| Προσόν: | AEC-Q101 |
| Εμπορική ονομασία: | TrenchFET |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | Vishay Semiconductors |
| Διαμόρφωση: | Διπλός |
| Φθινοπωρινή ώρα: | 28 ns |
| Τύπος Προϊόντος: | MOSFET |
| Ώρα ανόδου: | 12 ns |
| Σειρά: | SQ |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 3000 |
| Υποκατηγορία: | MOSFET |
| Τύπος τρανζίστορ: | 2 P-Channel |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης: | 39 ns |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: | 12 ns |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Βάρος μονάδας: | 0,017870 ουγκιές |
• Χωρίς αλογόνο Σύμφωνα με τον ορισμό IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Qualifiedd
• Δοκιμασμένο 100 % Rg και UIS
• Συμμορφώνεται με την Οδηγία RoHS 2002/95/EC
