IRS21271STRPBF Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | Infineon |
| Κατηγορία προιόντος: | Gate Drivers |
| RoHS: | Λεπτομέριες |
| Προϊόν: | Προγράμματα οδήγησης πύλης IGBT, MOSFET |
| Τύπος: | High-Side, Low-Side |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο / Θήκη: | SOIC-8 |
| Αριθμός οδηγών: | 1 Πρόγραμμα οδήγησης |
| Αριθμός εξόδων: | 1 Έξοδος |
| Ρεύμα εξόδου: | 200 mA |
| Τάση τροφοδοσίας - Ελάχ. | 10 V |
| Τάση τροφοδοσίας - Μέγ. | 20 V |
| Ώρα ανόδου: | 80 ns |
| Φθινοπωρινή ώρα: | 40 ns |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 125 C |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | Infineon Technologies |
| Υψος: | 1,5 χλστ |
| Μήκος: | 5 mm |
| Λογικός τύπος: | CMOS, TTL |
| Μέγιστος χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης: | 150 ns |
| Μέγιστος χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: | 150 ns |
| Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
| Λειτουργικό ρεύμα ανεφοδιασμού: | 120 uA |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 625 mW |
| Τύπος Προϊόντος: | Gate Drivers |
| Καθυστέρηση διάδοσης - Μέγ. | 200 ns |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 2500 |
| Υποκατηγορία: | PMIC - IC διαχείρισης ενέργειας |
| Τεχνολογία: | Si |
| Πλάτος: | 4 χλστ |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | IRS21271STRPBF SP001542710 |
| Βάρος μονάδας: | 0,019048 ουγκιές |
♠ IRS212(7, 71, 8,81)(S)PbF ΕΝΙΣΧΥΣΗ ΡΕΥΜΑΤΟΣ SINGLE CHANNEL DRIVER
Τα IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281 είναιMOSFET υψηλής τάσης, υψηλής ταχύτητας ισχύος και IGBTοδηγούς.Ιδιόκτητο HVIC και μάνδαλο ανοσοποιητικό CMOSΟι τεχνολογίες επιτρέπουν τη στιβαρή μονολιθική κατασκευή.Η λογική είσοδος είναι συμβατή με την τυπικήΈξοδοι CMOS ή LSTTL, έως 3,3 V. Το κύκλωμα προστασίας ανιχνεύει υπερβολικό ρεύμα στην τροφοδοτούμενη ισχύτρανζίστορ και τερματίζει την τάση κίνησης της πύλης.ΕναΤο σήμα ανοιχτής αποστράγγισης FAULT παρέχεται για να το υποδείξεισημειώθηκε διακοπή λειτουργίας υπερβολικού ρεύματος.Ο οδηγός εξόδου διαθέτει μια βαθμίδα προσωρινής αποθήκευσης ρεύματος υψηλού παλμού σχεδιασμένη για ελάχιστη διασταυρούμενη αγωγιμότητα.
Το πλωτό κανάλι μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την οδήγηση ενός N-καναλιού ισχύος MOSFET ή IGBT σε διαμόρφωση υψηλής ή χαμηλής πλευράς πουλειτουργεί έως και 600 V.
· Πλωτό κανάλι σχεδιασμένο για λειτουργία bootstrap Πλήρως λειτουργικό έως +600 VΑνεκτικό σε αρνητική παροδική τάση dV/dt ανοσοποιητικό
· Εύρος κίνησης πύλης για συγκεκριμένη εφαρμογή:
Κίνηση κινητήρα: 12 V έως 20 V (IRS2127/IRS2128)
Αυτοκίνητο: 9 V έως 20 V (IRS21271/IRS21281)
· Κλείδωμα υπότασης
· Συμβατό με λογική εισόδου 3,3 V, 5 V και 15 V
· Το καλώδιο FAULT υποδεικνύει ότι έχει συμβεί τερματισμός λειτουργίας
· Έξοδος σε φάση με είσοδο (IRS2127/IRS21271)
· Έξοδος εκτός φάσης με είσοδο (IRS2128/IRS21281)
· Συμβατό με RoHS
