VNS3NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Περιγραφή προϊόντος
Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
Κατασκευαστής: | STMicroelectronics |
Κατηγορία προιόντος: | Gate Drivers |
RoHS: | Λεπτομέριες |
Προϊόν: | MOSFET Gate Drivers |
Τύπος: | Χαμηλή πλευρά |
Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
Πακέτο / Θήκη: | SOIC-8 |
Αριθμός οδηγών: | 2 Πρόγραμμα οδήγησης |
Αριθμός εξόδων: | 2 Έξοδος |
Ρεύμα εξόδου: | 5 Α |
Τάση τροφοδοσίας - Μέγ. | 24 V |
Ώρα ανόδου: | 250 ns |
Φθινοπωρινή ώρα: | 250 ns |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40 C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150 C |
Σειρά: | VNS3NV04DP-E |
Προσόν: | AEC-Q100 |
Συσκευασία: | Καρούλι |
Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
Συσκευασία: | MouseReel |
Μάρκα: | STMicroelectronics |
Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
Λειτουργικό ρεύμα ανεφοδιασμού: | 100 uA |
Τύπος Προϊόντος: | Gate Drivers |
Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 2500 |
Υποκατηγορία: | PMIC - IC διαχείρισης ενέργειας |
Τεχνολογία: | Si |
Βάρος μονάδας: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II πλήρως αυτοπροστατευμένο Power MOSFET
Η συσκευή VNS3NV04DP-E αποτελείται από δύο μονολιθικά τσιπ (OMNIFET II) που βρίσκονται σε μια τυπική συσκευασία SO-8.Το OMNIFET II έχει σχεδιαστεί χρησιμοποιώντας την τεχνολογία STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 και προορίζεται για αντικατάσταση τυπικών MOSFET Power σε εφαρμογές συνεχούς ρεύματος έως και 50 kHz.
Η ενσωματωμένη θερμική απενεργοποίηση, ο γραμμικός περιορισμός ρεύματος και ο σφιγκτήρας υπέρτασης προστατεύουν το τσιπ σε σκληρά περιβάλλοντα.
Η ανάδραση σφάλματος μπορεί να ανιχνευθεί παρακολουθώντας την τάση στον ακροδέκτη εισόδου
■ ECOPACK®: Χωρίς μόλυβδο και συμβατό με RoHS
■ Automotive Grade: συμμόρφωση με τις οδηγίες της AEC
■ Περιορισμός γραμμικού ρεύματος
■ Θερμική διακοπή λειτουργίας
■ Προστασία από βραχυκύκλωμα
■ Ενσωματωμένος σφιγκτήρας
■ Χαμηλό ρεύμα που αντλείται από την ακίδα εισόδου
■ Διαγνωστική ανατροφοδότηση μέσω της ακίδας εισόδου
■ Προστασία ESD
■ Άμεση πρόσβαση στην πύλη του Power MOSFET (αναλογική οδήγηση)
■ Συμβατό με τυπικό Power MOSFET