VNS1NV04DPTR-E Οδηγοί πύλης OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Περιγραφή προϊόντος
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
Κατασκευαστής: | STMicroelectronics |
Κατηγορία προϊόντος: | Οδηγοί πύλης |
Προϊόν: | Οδηγοί πύλης MOSFET |
Τύπος: | Χαμηλή πλευρά |
Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
Συσκευασία / Θήκη: | SOIC-8 |
Αριθμός οδηγών: | 2 Οδηγός |
Αριθμός εξόδων: | 2 Έξοδος |
Ρεύμα εξόδου: | 1,7 Α |
Τάση τροφοδοσίας - Μέγιστη: | 24 V |
Ώρα ανόδου: | 500 ns |
Φθινοπωρινή Ώρα: | 600 ns |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40°C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150°C |
Σειρά: | VNS1NV04DP-E |
Προσόν: | AEC-Q100 |
Συσκευασία: | Καρούλι |
Συσκευασία: | Κόψτε την ταινία |
Συσκευασία: | MouseReel |
Μάρκα: | STMicroelectronics |
Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
Ρεύμα τροφοδοσίας λειτουργίας: | 150 μΑ |
Τύπος προϊόντος: | Οδηγοί πύλης |
Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 2500 |
Υποκατηγορία: | PMIC - Ολοκληρωμένα ολοκληρωμένα κυκλώματα διαχείρισης ενέργειας |
Τεχνολογία: | Si |
Βάρος μονάδας: | 0,005291 ουγγιές |
♠ OMNIFET II πλήρως αυτοπροστατευμένο MOSFET ισχύος
Το VNS1NV04DP-E είναι μια συσκευή που αποτελείται από δύο μονολιθικά τσιπ OMNIFET II που στεγάζονται σε μια τυπική συσκευασία SO-8. Τα OMNIFET II έχουν σχεδιαστεί με την τεχνολογία STMicroelectronics VIPower™ M0-3: προορίζονται για την αντικατάσταση τυπικών MOSFET ισχύος από εφαρμογές DC έως 50KHz. Η ενσωματωμένη θερμική απενεργοποίηση, ο γραμμικός περιορισμός ρεύματος και η σφιγκτήρας υπέρτασης προστατεύουν το τσιπ σε αντίξοες συνθήκες.
Η ανατροφοδότηση σφάλματος μπορεί να ανιχνευθεί παρακολουθώντας την τάση στον ακροδέκτη εισόδου.
• Γραμμικός περιορισμός ρεύματος
• Θερμική διακοπή λειτουργίας
• Προστασία από βραχυκύκλωμα
• Ενσωματωμένος σφιγκτήρας
• Χαμηλό ρεύμα που λαμβάνεται από την ακίδα εισόδου
• Διαγνωστική ανατροφοδότηση μέσω ακίδας εισόδου
• Προστασία από ηλεκτροστατική εκκένωση (ESD)
• Άμεση πρόσβαση στην πύλη του power mosfet (αναλογική οδήγηση)
• Συμβατό με τυπικό power mosfet
• Σε συμμόρφωση με την ευρωπαϊκή οδηγία 2002/95/ΕΚ