VNS1NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | STMicroelectronics |
| Κατηγορία προιόντος: | Gate Drivers |
| Προϊόν: | MOSFET Gate Drivers |
| Τύπος: | Χαμηλή πλευρά |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο / Θήκη: | SOIC-8 |
| Αριθμός οδηγών: | 2 Πρόγραμμα οδήγησης |
| Αριθμός εξόδων: | 2 Έξοδος |
| Ρεύμα εξόδου: | 1,7 Α |
| Τάση τροφοδοσίας - Μέγ. | 24 V |
| Ώρα ανόδου: | 500 ns |
| Φθινοπωρινή ώρα: | 600 ns |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150 C |
| Σειρά: | VNS1NV04DP-E |
| Προσόν: | AEC-Q100 |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | STMicroelectronics |
| Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
| Λειτουργικό ρεύμα ανεφοδιασμού: | 150 uA |
| Τύπος Προϊόντος: | Gate Drivers |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 2500 |
| Υποκατηγορία: | PMIC - IC διαχείρισης ενέργειας |
| Τεχνολογία: | Si |
| Βάρος μονάδας: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II πλήρως αυτοπροστατευμένο Power MOSFET
Το VNS1NV04DP-E είναι μια συσκευή που σχηματίζεται από δύο μονολιθικά τσιπ OMNIFET II που στεγάζονται σε μια τυπική συσκευασία SO-8.Τα OMNIFET II έχουν σχεδιαστεί στην τεχνολογία STMicroelectronics VIPower™ M0-3: προορίζονται για την αντικατάσταση τυπικών MOSFET ισχύος από εφαρμογές DC έως 50KHz.Ο ενσωματωμένος θερμικός τερματισμός λειτουργίας, ο γραμμικός περιορισμός ρεύματος και ο σφιγκτήρας υπέρτασης προστατεύουν το τσιπ σε σκληρά περιβάλλοντα.
Η ανάδραση σφαλμάτων μπορεί να ανιχνευθεί παρακολουθώντας την τάση στον ακροδέκτη εισόδου.
• Περιορισμός γραμμικού ρεύματος
• Θερμική διακοπή λειτουργίας
• Προστασία από βραχυκύκλωμα
• Ενσωματωμένος σφιγκτήρας
• Χαμηλό ρεύμα που αντλείται από την ακίδα εισόδου
• Διαγνωστική ανατροφοδότηση μέσω της ακίδας εισόδου
• Προστασία ESD
• Άμεση πρόσβαση στην πύλη του power mosfet (αναλογική οδήγηση)
• Συμβατό με standard power mosfet
• Σε συμμόρφωση με την ευρωπαϊκή οδηγία 2002/95/ΕΚ
