VNB35N07TR-E IC με διακόπτη ισχύος – Διανομή ισχύος OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | STMicroelectronics |
| Κατηγορία προιόντος: | IC διακόπτη ισχύος - Διανομή ισχύος |
| Τύπος: | Χαμηλή πλευρά |
| Αριθμός εξόδων: | 1 Έξοδος |
| Τρέχον όριο: | 35 Α |
| Σχετικά με την αντίσταση - Μέγ. | 28 mOhms |
| Έγκαιρη - Μέγ. | 200 ns |
| Χρόνος εκτός λειτουργίας - Μέγ. | 1 εμάς |
| Τάση τροφοδοσίας λειτουργίας: | 28 V |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 150 C |
| Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
| Πακέτο / Θήκη: | D2PAK-3 |
| Σειρά: | VNB35N07-E |
| Προσόν: | AEC-Q100 |
| Συσκευασία: | Καρούλι |
| Συσκευασία: | Κοπή ταινίας |
| Συσκευασία: | MouseReel |
| Μάρκα: | STMicroelectronics |
| Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 125000 mW |
| Τύπος Προϊόντος: | IC διακόπτη ισχύος - Διανομή ισχύος |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 1000 |
| Υποκατηγορία: | Εναλλαγή IC |
| Βάρος μονάδας: | 0,079014 ουγκιές |
♠ OMNIFET: πλήρως αυτοπροστατευμένο Power MOSFET
Τα VNP35N07-E, VNB35N07-E και VNV35N07-E είναι μονολιθικές συσκευές κατασκευασμένες με χρήση τεχνολογίας STMicroelectronics VIPower®, που προορίζονται για αντικατάσταση τυπικών MOSFET ισχύος σε εφαρμογές DC έως 50 KHz.
Η ενσωματωμένη θερμική απενεργοποίηση, ο γραμμικός περιορισμός ρεύματος και ο σφιγκτήρας υπέρτασης προστατεύουν το τσιπ σε σκληρά περιβάλλοντα.
Η ανάδραση σφαλμάτων μπορεί να ανιχνευθεί παρακολουθώντας την τάση στον ακροδέκτη εισόδου.
• Προσόντα αυτοκινήτου
• Περιορισμός γραμμικού ρεύματος
• Θερμική διακοπή λειτουργίας
• Προστασία από βραχυκύκλωμα
• Ενσωματωμένος σφιγκτήρας
• Χαμηλό ρεύμα που αντλείται από την ακίδα εισόδου
• Διαγνωστική ανατροφοδότηση μέσω της ακίδας εισόδου
• Προστασία ESD
• Άμεση πρόσβαση στην πύλη του Power MOSFET (αναλογική οδήγηση)
• Συμβατό με τυπικό Power MOSFET
• Standard πακέτο TO-220
• Συμμορφώνεται με την ευρωπαϊκή οδηγία 2002/95/EC
