LCMXO2-4000HC-4TG144C Πεδίο προγραμματιζόμενη συστοιχία πύλης 4320 LUTs 115 IO 3.3V 4 Spd
♠ Περιγραφή προϊόντος
Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
Κατασκευαστής: | Πλέγμα |
Κατηγορία προιόντος: | FPGA - Συστοιχία προγραμματιζόμενης πύλης πεδίου |
RoHS: | Λεπτομέριες |
Σειρά: | LCMXO2 |
Αριθμός Λογικών Στοιχείων: | 4320 LE |
Αριθμός I/O: | 114 I/O |
Τάση τροφοδοσίας - Ελάχ. | 2.375 V |
Τάση τροφοδοσίας - Μέγ. | 3,6 V |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | 0 C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 85 C |
Ρυθμός δεδομένων: | - |
Αριθμός πομποδέκτη: | - |
Στυλ τοποθέτησης: | SMD/SMT |
Πακέτο / Θήκη: | TQFP-144 |
Συσκευασία: | Δίσκος - σχάρα |
Μάρκα: | Πλέγμα |
Κατανεμημένη μνήμη RAM: | 34 kbit |
Ενσωματωμένο μπλοκ RAM - EBR: | 92 kbit |
Μέγιστη συχνότητα λειτουργίας: | 269 MHz |
Ευαίσθητο στην υγρασία: | Ναί |
Αριθμός μπλοκ λογικού πίνακα - LAB: | 540 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ |
Λειτουργικό ρεύμα ανεφοδιασμού: | 8,45 mA |
Τάση τροφοδοσίας λειτουργίας: | 2,5 V/3,3 V |
Τύπος Προϊόντος: | FPGA - Συστοιχία προγραμματιζόμενης πύλης πεδίου |
Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 60 |
Υποκατηγορία: | Προγραμματιζόμενα λογικά IC |
Συνολική μνήμη: | 222 kbit |
Εμπορική ονομασία: | MachXO2 |
Βάρος μονάδας: | 0,046530 ουγκιές |
1. Αρχιτεκτονική Ευέλικτης Λογικής
Έξι συσκευές με 256 έως 6864 LUT4 και 18 έως 334I/O
2. Συσκευές εξαιρετικά χαμηλής ισχύος
Προηγμένη διαδικασία χαμηλής ισχύος 65 nm
Ισχύς αναμονής έως και 22 μW
Προγραμματιζόμενο διαφορικό χαμηλής αιώρησης I/O
Κατάσταση αναμονής και άλλες επιλογές εξοικονόμησης ενέργειας
3. Ενσωματωμένη και κατανεμημένη μνήμη
Έως 240 kbits sysMEM™ Embedded Block RAM
Κατανεμημένη μνήμη RAM έως 54 kbits
Αποκλειστική λογική ελέγχου FIFO
4. Μνήμη Flash χρήστη στο Chip
Έως 256 kbits Μνήμης Flash χρήστη
100.000 κύκλοι εγγραφής
Προσβάσιμο μέσω WISHBONE, SPI, I2C και JTAGδιεπαφές
Μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως soft processor PROM ή ως Flashμνήμη
5. Προ-Μηχανική Πηγή ΣύγχρονηI/O
Εγγραφές DDR σε κελιά I/O
Αποκλειστική λογική γραναζιών
7:1 Gearing for Display I/O
Γενικά DDR, DDRX2, DDRX4
Αποκλειστική μνήμη DDR/DDR2/LPDDR με DQSυποστήριξη
6. Υψηλής απόδοσης, ευέλικτο buffer I/O
Η προγραμματιζόμενη προσωρινή μνήμη sysI/O™ υποστηρίζει ευρείαγκάμα διεπαφών:
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
LVTTL
PCI
LVDS, Bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
SSTL 25/18
HSTL 18
Εξομοίωση MIPI D-PHY
Είσοδοι σκανδάλης Schmitt, υστέρηση έως 0,5 V
I/O υποστήριξη hot socketing
Διαφορικός τερματισμός on-chip
Προγραμματιζόμενη λειτουργία pull-up ή pull-down
7. Ευέλικτο ρολόι στο τσιπ
Οκτώ βασικά ρολόγια
Έως δύο ρολόγια άκρων για I/O υψηλής ταχύτηταςδιεπαφές (μόνο πάνω και κάτω πλευρές)
Έως δύο αναλογικά PLL ανά συσκευή με fractional-nσύνθεση συχνότητας
Ευρύ φάσμα συχνοτήτων εισόδου (7 MHz έως 400MHz)
8. Μη πτητικό, απείρως αναδιαμορφώσιμο
Instant-on – ενεργοποιείται σε μικροδευτερόλεπτα
Ασφαλής λύση με ένα τσιπ
Προγραμματιζόμενος μέσω JTAG, SPI ή I2C
Υποστηρίζει προγραμματισμό στο παρασκήνιο μη ασταθώνμνήμη
Προαιρετική διπλή εκκίνηση με εξωτερική μνήμη SPI
9. Αναδιαμόρφωση TransFR™
Ενημέρωση λογικής εντός πεδίου κατά τη λειτουργία του συστήματος
10. Βελτιωμένη υποστήριξη σε επίπεδο συστήματος
Λειτουργίες σκληρύνσεως στο τσιπ: SPI, I2C,χρονόμετρο/μετρητή
Ταλαντωτής on-chip με ακρίβεια 5,5%.
Μοναδικό TraceID για παρακολούθηση συστήματος
Λειτουργία One Time Programmable (OTP).
Μονό τροφοδοτικό με εκτεταμένη λειτουργίαεύρος
Σάρωση ορίων IEEE Standard 1149.1
Προγραμματισμός εντός συστήματος σύμφωνα με το IEEE 1532
11. Ευρύ φάσμα επιλογών πακέτων
TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA,Επιλογές πακέτου fpBGA, QFN
Επιλογές πακέτου μικρού αποτυπώματος
Μικρό όσο 2,5 mm x 2,5 mm
Υποστηρίζεται η μετανάστευση πυκνότητας
Προηγμένη συσκευασία χωρίς αλογόνο