IKW50N65EH5XKSA1 τρανζίστορ IGBT INDUSTRY 14
♠ Περιγραφή προϊόντος
| Ιδιότητα προϊόντος | Τιμή Χαρακτηριστικού |
| Κατασκευαστής: | Infineon |
| Κατηγορία προιόντος: | Τρανζίστορ IGBT |
| Τεχνολογία: | Si |
| Πακέτο / Θήκη: | ΤΟ-247-3 |
| Στυλ τοποθέτησης: | Μέσα από την τρύπα |
| Διαμόρφωση: | Μονόκλινο |
| Τάση συλλέκτη-εκπομπού VCEO Μέγ. | 650 V |
| Τάση κορεσμού συλλέκτη-εκπομπού: | 1,65 V |
| Μέγιστη τάση εκπομπού πύλης: | 20 V |
| Συνεχές ρεύμα συλλογής στους 25 C: | 80 Α |
| Pd - Διαρροή ισχύος: | 275 W |
| Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | - 40 C |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: | + 175 C |
| Σειρά: | Trenchstop IGBT5 |
| Συσκευασία: | Σωλήνας |
| Μάρκα: | Infineon Technologies |
| Ρεύμα διαρροής πύλης-εκπομπού: | 100 nA |
| Υψος: | 20,7 χλστ |
| Μήκος: | 15,87 χλστ |
| Τύπος Προϊόντος: | Τρανζίστορ IGBT |
| Ποσότητα εργοστασιακής συσκευασίας: | 240 |
| Υποκατηγορία: | IGBTs |
| Εμπορική ονομασία: | ΣΤΟΠ ΤΑΡΥΜΟΥ |
| Πλάτος: | 5,31 χλστ |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Βάρος μονάδας: | 0,213383 ουγκιές |
Προσφορά τεχνολογίας HighspeedH5
•Η καλύτερη απόδοση στην κατηγορία των τοπολογιών σκληρής εναλλαγής και συντονισμού
•Προσθήκη αντικατάστασης IGBT προηγούμενης γενιάς
•650V τάση διακοπής
•LowgatechargeQG
•Συσκευασία IGBTμε πλήρη ονομαστική RAPID1fastand μαλακή αντιπαράλληλη δίοδος
•Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης175°C
•Πιστοποιημένο σύμφωνα με το JEDEC για εφαρμογές στόχων
•Επιμετάλλωση χωρίς Pb; Συμβατό με RoHS
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Αδιάλειπτα τροφοδοτικά
•Ηλιομετατροπείς
•Μετατροπείς συγκόλλησης
•Μετατροπείς συχνότητας εναλλαγής μεσαίας προς υψηλές τιμές
